KS82C84A-10CP
应用领域和描述
时钟光电二极管外围集成电路晶体

Processor Specific Clock Generator, 30MHz, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

总9页 (282K) SAMSUNG SEMICONDUCTOR
SAMSUNG SEMICONDUCTOR
型号参数:KS82C84A-10CP参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP18,.3
针数18
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.39.00.01
风险等级5.92
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
长度22.987 mm
端子数量18
最高工作温度70 °C
最低工作温度
最大输出时钟频率30 MHz
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
主时钟/晶体标称频率30 MHz
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.318 mm
子类别Clock Generators
最大压摆率40 mA
最大供电电压6 V
最小供电电压4 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型CLOCK GENERATOR, PROCESSOR SPECIFIC
Base Number Matches1
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